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WNSC08650T6J(WeEn) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
WNSC08650T6J圖片
基本資料:
  • 零件型號:WNSC08650T6J
  • 制造廠商:WeEn
  • 技術規格:SILICON CARBIDE POWER DIODE
  • 功能類別:二極體 - 整流器 - 單
  • 點擊此處下載WNSC08650T6J的原廠技術規格書(PDF文件)
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:WNSC08650T6J
  • 製造商:WeEn Semiconductors
  • 描述:SILICON CARBIDE POWER DIODE
  • 系列:二極體 - 整流器 - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • 二極體類型:碳化矽肖特基
  • 電壓-DC反向(Vr)(最大值):650V
  • 電流-平均整流(Io):8A
  • 不同If時電壓-正向(Vf):1.7V @ 8A
  • 速度:無恢復時間 > 500mA(Io)
  • 反向恢復時間(trr):0ns
  • 不同Vr時電流-反向洩漏:50µA @ 650V
  • 不同 Vr、F時電容:267pF @ 1V,1MHz
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:4-VDFN
  • 供應商器件封裝:5-DFN(8x8)
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    WNSC08650T6J(制造商:WeEn),技術規格SILICON CARBIDE POWER DIODE 二極體 - 整流器 - 單
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