SIZF918DT-T1-GE3(Vishay) - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情:
製造商產品型號:SIZF918DT-T1-GE3製造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6系列:電晶體 - FET,MOSFET - 陣列產品系列:TrenchFET® Gen IV零件狀態:有源FET類型:2 個 N 通道(雙),肖特基FET功能:標準漏源電壓(Vdss):30V25°C時電流-連續漏極(Id):23A(Ta),40A(Tc),35A(Ta),60A(Tc)不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):4 毫歐 @ 10A,10V,1.9 毫歐 @ 10A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA,2.3V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):22nC,56nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1060pF,2650pF @ 15V功率-最大值:3.4W(Ta),26.6W(Tc),3.7W(Ta),50W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:8-PowerWDFN南皇電子自營直供,SIZF918DT-T1-GE3均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
SIZF918DT-T1-GE3(制造商:Vishay),技術規格MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6 電晶體 - FET,MOSFET - 陣列