SIZ200DT-T1-GE3（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：SIZ200DT-T1-GE3製造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH DUAL 30V系列：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列產品系列：TrenchFET® Gen IV零件狀態：有源FET類型：2 N-通道（雙）FET功能：標準漏源電壓（Vdss）：30V25°C時電流-連續漏極(Id)：22A（Ta），61A（Tc），22A（Ta），60A（Tc）不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：5.5 毫歐 @ 10A，10V，5.8 毫歐 @ 10A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：28nC @ 10V，30nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1510pF @ 15V，1600pF @ 15V功率-最大值：4.3W（Ta），33W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：8-PowerWDFN南皇電子自營直供，SIZ200DT-T1-GE3均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
SIZ200DT-T1-GE3（制造商：Vishay），技術規格MOSFET N-CH DUAL 30V 電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
