SISS61DN-T1-GE3（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：SISS61DN-T1-GE3製造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：TrenchFET® Gen III零件狀態：有源FET類型：P 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：20V25°C時電流-連續漏極(Id)：30.9A（Ta），111.9A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：3.5 毫歐 @ 15A，4.5V不同Id時Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：231nC @ 10VVgs（最大值）：±8V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：8740pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：5W（Ta），65.8W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：PowerPAK® 1212-8S南皇電子自營直供，SISS61DN-T1-GE3均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
SISS61DN-T1-GE3（制造商：Vishay），技術規格MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
