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SI8900EDB-T2-E1(Vishay) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
SI8900EDB-T2-E1圖片
基本資料:
  • 零件型號:SI8900EDB-T2-E1
  • 制造廠商:Vishay
  • 技術規格:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
  • 功能類別:電晶體 - FET,MOSFET - 陣列
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:SI8900EDB-T2-E1
  • 製造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
  • 系列:電晶體 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:TrenchFET®
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:2 N 溝道(雙)共漏
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):20V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):5.4A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):-
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 1.1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):-
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
  • 功率-最大值:1W
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:10-UFBGA,CSPBGA
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    SI8900EDB-T2-E1(制造商:Vishay),技術規格MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP 電晶體 - FET,MOSFET - 陣列
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