SI8819EDB-T2-E1（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：SI8819EDB-T2-E1製造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：-零件狀態：有源FET類型：P 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：12V25°C時電流-連續漏極(Id)：2.9A（Ta）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，3.7V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：80 毫歐 @ 1.5A，3.7V不同Id時Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：17nC @ 8VVgs（最大值）：±8V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：650pF @ 6VFET功能：-功率耗散（最大值）：900mW（Ta）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：4-MICRO FOOT®（0.8x0.8）南皇電子自營直供，SI8819EDB-T2-E1均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
SI8819EDB-T2-E1（制造商：Vishay），技術規格MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
