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TPD3215M(Transphorm) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
TPD3215M圖片
基本資料:
  • 零件型號:TPD3215M
  • 制造廠商:Transphorm
  • 技術規格:GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
  • 功能類別:電晶體 - FET,MOSFET - 陣列
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:TPD3215M
  • 製造商:Transphorm
  • 描述:GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
  • 系列:電晶體 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:2 個 N 通道(半橋)
  • FET功能:GaNFET(氮化鎵)
  • 漏源電壓(Vdss):600V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):70A(Tc)
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):34 毫歐 @ 30A,8V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):28nC @ 8V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2260pF @ 100V
  • 功率-最大值:470W
  • 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:模組
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    TPD3215M(制造商:Transphorm),技術規格GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE 電晶體 - FET,MOSFET - 陣列
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