TP65H300G4LSG（Transphorm） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：TP65H300G4LSG製造商：Transphorm描述：GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：-零件狀態：有源FET類型：N 通道技術：GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）：650V25°C時電流-連續漏極(Id)：6.5A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：8V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：312毫歐 @ 5A，8V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 500µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：9.6nC @ 8VVgs（最大值）：±18V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：760pF @ 400VFET功能：-功率耗散（最大值）：21W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：3-PQFN（8x8）南皇電子自營直供，TP65H300G4LSG均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
TP65H300G4LSG（制造商：Transphorm），技術規格GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
