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TP65H070LSG(Transphorm) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
TP65H070LSG圖片
基本資料:
  • 零件型號:TP65H070LSG
  • 制造廠商:Transphorm
  • 技術規格:GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
  • 功能類別:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:TP65H070LSG
  • 製造商:Transphorm
  • 描述:GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
  • 系列:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:TP65H070L
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:N 通道
  • 技術:GaNFET(共源共柵氮化鎵 FET)
  • 漏源電壓(Vdss):650V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):25A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):85 毫歐 @ 16A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4.8V @ 700µA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):9.3nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):600pF @ 400V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):96W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:3-PQFN(8x8)
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