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    TPCF8B01(TE85L,F,M（Toshiba） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    TPCF8B01(TE85L,F,M圖片
    基本資料：
  • 零件型號：TPCF8B01(TE85L,F,M
  • 制造廠商：Toshiba
  • 技術規格：MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
  • 功能類別：電晶體 - FET，MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載TPCF8B01(TE85L,F,M的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：TPCF8B01(TE85L,F,M
  • 製造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
  • 系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：U-MOSIII
  • 零件狀態：停產
  • FET類型：P 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：20V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：2.7A（Ta）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：110 毫歐 @ 1.4A，4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200µA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：6nC @ 5V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：470pF @ 10V
  • FET功能：肖特基二極體（隔離式）
  • 功率耗散（最大值）：330mW（Ta）
  • 工作溫度：150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：VS-8（2.9x1.5）
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