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    TJ10S04M3L(T6L1,NQ（Toshiba） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    TJ10S04M3L(T6L1,NQ圖片
    基本資料：
  • 零件型號：TJ10S04M3L(T6L1,NQ
  • 制造廠商：Toshiba
  • 技術規格：MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
  • 功能類別：電晶體 - FET，MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載TJ10S04M3L(T6L1,NQ的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：TJ10S04M3L(T6L1,NQ
  • 製造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
  • 系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：U-MOSVI
  • 零件狀態：有源
  • FET類型：P 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：40V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：10A（Ta）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：44 毫歐 @ 5A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：19nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：+10V，-20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：930pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：27W（Tc）
  • 工作溫度：175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：DPAK+
  • 南皇電子自營直供，TJ10S04M3L(T6L1,NQ均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
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