RN49A1(TE85L,F)（Toshiba） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：RN49A1(TE85L,F)製造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：PNP + NPN BRT, Q1BSR=2.2K?, Q1BE系列：電晶體 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置零件狀態：有源電晶體類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA電壓-集射極擊穿（最大值）：50V電阻器-基極(R1)：5.6A（Ta），11.7A（Tc）電阻器-發射極(R2)：47 千歐不同 Ic、Vce 時DC電流增益(hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V不同 Ib、Ic時 Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 250µA，5mA電流-集電極截止（最大值）：500nA頻率-躍遷：200MHz，250MHz功率-最大值：200mW安裝類型：表面貼裝型封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363南皇電子自營直供，RN49A1(TE85L,F)均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
RN49A1(TE85L,F)（制造商：Toshiba），技術規格PNP + NPN BRT, Q1BSR=2.2K?, Q1BE 電晶體 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
