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RN1903FE(TE85L,F)(Toshiba) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
RN1903FE(TE85L,F)圖片
基本資料:
  • 零件型號:RN1903FE(TE85L,F)
  • 制造廠商:Toshiba
  • 技術規格:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • 功能類別:陣列﹐預偏壓式電晶體
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  • 技術參數詳情:
  • 東芝半導體公司完整型號:RN1903FE(TE85L,F)
  • 製造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • 系列:-
  • 電晶體類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
  • 電阻器 - 基底 (R1) (Ω):22k
  • 電阻器 - 發射極基底 (R2) (Ω):22k
  • 不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V
  • 不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
  • 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 頻率 - 躍遷:250MHz
  • 功率 - 最大值:100mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
  • 供應商器件封裝:ES6
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