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HN1C03FU-B,LF全球貨源,采購無憂
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HN1C03FU-B,LF(Toshiba) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
HN1C03FU-B,LF圖片
基本資料:
  • 零件型號:HN1C03FU-B,LF
  • 制造廠商:Toshiba
  • 技術規格:NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
  • 功能類別:電晶體 - 雙極性電晶體(BJT)- 陣列
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:HN1C03FU-B,LF
  • 製造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
  • 系列:電晶體 - 雙極性電晶體(BJT)- 陣列
  • 零件狀態:有源
  • 電晶體類型:2 NPN(雙)
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):300mA
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):20V
  • 不同 Ib、Ic時 Vce飽和壓降(最大值):100mV @ 3mA,30A
  • 電流-集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同 Ic、Vce 時DC電流增益(hFE)(最小值):350 @ 4mA,2V
  • 功率-最大值:200mW
  • 頻率-躍遷:30MHz
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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    HN1C03FU-B,LF(制造商:Toshiba),技術規格NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20 電晶體 - 雙極性電晶體(BJT)- 陣列
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