GT30J324(Q)(Toshiba) - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情:
東芝半導體公司完整型號:GT30J324(Q)製造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage描述:IGBT 600V 30A 170W TO3PN系列:-IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):30ACurrent - Collector Pulsed (Icm):60A不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.45V @ 15V,30A功率 - 最大值:170WSwitching Energy:1mJ (開), 800µJ (關)輸入類型:標準Gate Charge:-25°C 時 Td(開/關)值:90ns/300nsTest Condition:300V, 30A, 24 歐姆, 15V反向恢復時間 (trr):60ns封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-3P(N)南皇電子自營直供,GT30J324(Q)均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
GT30J324(Q)(制造商:Toshiba),技術規格IGBT 600V 30A 170W TO3PN 單路IGBT