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GT30J121(Q)(Toshiba) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
GT30J121(Q)圖片
基本資料:
  • 零件型號:GT30J121(Q)
  • 制造廠商:Toshiba
  • 技術規格:IGBT 600V 30A 170W TO3PN
  • 功能類別:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:GT30J121(Q)
  • 製造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:IGBT 600V 30A 170W TO3PN
  • 系列:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:*
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):30A
  • 電流-集電極脈衝(Icm):60A
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,30A
  • 功率-最大值:170W
  • 開關能量:1mJ(開),800µJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:-
  • 25°C時Td(開/關)值:90ns/300ns
  • 測試條件:300V,30A,24 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-3P-3,SC-65-3
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