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2SJ360(F)(Toshiba) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
2SJ360(F)圖片
基本資料:
  • 零件型號:2SJ360(F)
  • 制造廠商:Toshiba
  • 技術規格:MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
  • 功能類別:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載2SJ360(F)的原廠技術規格書(PDF文件)
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:2SJ360(F)
  • 製造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
  • 系列:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:P 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):60V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):1A(Ta)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4V,10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):730 毫歐 @ 500mA,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):6.5nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):155pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):500mW(Ta)
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:PW-MINI
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