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ULN2003V12DR(TI) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
ULN2003V12DR圖片
基本資料:
  • 零件型號:ULN2003V12DR
  • 制造廠商:TI
  • 技術規格:MOSFET 7CH 16SOIC
  • 功能類別:電晶體 - FET,MOSFET - 陣列
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:ULN2003V12DR
  • 製造商:Texas Instruments
  • 描述:MOSFET 7CH 16SOIC
  • 系列:電晶體 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:-
  • FET功能:-
  • 漏源電壓(Vdss):-
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):-
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):-
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):-
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
  • 功率-最大值:-
  • 工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:16-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
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    ULN2003V12DR(制造商:TI),技術規格MOSFET 7CH 16SOIC 電晶體 - FET,MOSFET - 陣列
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