TPS1100DR（TI） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：TPS1100DR製造商：Texas Instruments描述：MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：-零件狀態：有源FET類型：P 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：15V25°C時電流-連續漏極(Id)：1.6A（Ta）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.7V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：180 毫歐 @ 1.5A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：5.45nC @ 10VVgs（最大值）：+2V，-15V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-FET功能：-功率耗散（最大值）：791mW（Ta）工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：8-SOIC南皇電子自營直供，TPS1100DR均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
TPS1100DR（制造商：TI），技術規格MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
