CSD85312Q3E(TI) - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情:
製造商產品型號:CSD85312Q3E製造商:Texas Instruments描述:MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON系列:電晶體 - FET,MOSFET - 陣列產品系列:NexFET™零件狀態:有源FET類型:2 N 溝道(雙)共源FET功能:邏輯電平柵極,5V 驅動漏源電壓(Vdss):20V25°C時電流-連續漏極(Id):39A不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):12.4 毫歐 @ 10A,8V不同Id時Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):15.2nC @ 4.5V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2390pF @ 10V功率-最大值:2.5W工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:8-PowerVDFN南皇電子自營直供,CSD85312Q3E均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
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CSD85312Q3E(制造商:TI),技術規格MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON 電晶體 - FET,MOSFET - 陣列