CSD19538Q2T（TI） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：CSD19538Q2T製造商：Texas Instruments描述：MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：NexFET™零件狀態：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：100V25°C時電流-連續漏極(Id)：13.1A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：59 毫歐 @ 5A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：5.6nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：454pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），20.2W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：6-WSON（2x2）南皇電子自營直供，CSD19538Q2T均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
CSD19538Q2T（制造商：TI），技術規格MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
