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K4T1G083QJ-BI全球貨源,采購無憂
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K4T1G083QJ-BI(Samsung) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
K4T1G083QJ-BI圖片
基本資料:
  • 零件型號:K4T1G083QJ-BI
  • 制造廠商:Samsung
  • 技術規格:SAMSUNG DRAM NAND
  • 功能類別:雙倍數據率同步動態隨機記憶體
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  • 技術參數詳情:
  • 三星晶片型號:K4T1G083QJ-BI
  • 製造商:SAMSUNG(三星半導體)
  • 功能類別:雙倍數據率同步動態隨機記憶體
  • 容量:1Gb
  • 架構:128M x 8
  • 速率:1066 Mbps
  • 工作電壓:1.8 V
  • 工作溫度:-40 ~ 95 °C
  • 封裝:60FBGA
  • 產品狀態:批量生產
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  • K4T1G083QJ-BI(制造商:Samsung),技術規格SAMSUNG DRAM NAND 雙倍數據率同步動態隨機記憶體
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