STI11NM80（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：STI11NM80製造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：MDmesh™零件狀態：不適用於新設計FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：800V25°C時電流-連續漏極(Id)：11A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：400 毫歐 @ 5.5A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：43.6nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1630pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：150W（Tc）工作溫度：-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：通孔器件封裝：I2PAK（TO-262）南皇電子自營直供，STI11NM80均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
STI11NM80（制造商：ST），技術規格MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
