STGYA120M65DF2AG(ST) - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情:
製造商產品型號:STGYA120M65DF2AG製造商:STMicroelectronics描述:IGBT系列:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:M零件狀態:有源IGBT類型:溝槽型場截止電壓-集射極擊穿(最大值):650V電流-集電極(Ic)(最大值):160A電流-集電極脈衝(Icm):360A不同 Vge、Ic時 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,120A功率-最大值:625W開關能量:1.8mJ(開),4.41mJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:420nC25°C時Td(開/關)值:66ns/185ns測試條件:400V,120A,4.7 歐姆,15V反向恢復時間(trr):202ns工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-247-3南皇電子自營直供,STGYA120M65DF2AG均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
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STGYA120M65DF2AG(制造商:ST),技術規格IGBT 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單