STGWT80H65DFB（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：STGWT80H65DFB製造商：STMicroelectronics描述：IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：有源IGBT類型：溝槽型場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：650V電流-集電極(Ic)（最大值）：120A電流-集電極脈衝(Icm)：240A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，80A功率-最大值：469W開關能量：2.1mJ（開），1.5mJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：414nC25°C時Td（開/關）值：84ns/280ns測試條件：400V，80A，10 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：85ns工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：TO-3P-3，SC-65-3南皇電子自營直供，STGWT80H65DFB均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
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STGWT80H65DFB（制造商：ST），技術規格IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
