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STGWA75H65DFB2(ST) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
STGWA75H65DFB2圖片
基本資料:
  • 零件型號:STGWA75H65DFB2
  • 制造廠商:ST
  • 技術規格:TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
  • 功能類別:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:STGWA75H65DFB2
  • 製造商:STMicroelectronics
  • 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
  • 系列:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:HB2
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):115A
  • 電流-集電極脈衝(Icm):225A
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,75A
  • 功率-最大值:357W
  • 開關能量:1.428mJ(開),1.05mJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:207nC
  • 25°C時Td(開/關)值:28ns/100ns
  • 測試條件:400V,75A,2.2 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):88ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-247-3
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