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STGW10M65DF2(ST) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
STGW10M65DF2圖片
基本資料:
  • 零件型號:STGW10M65DF2
  • 制造廠商:ST
  • 技術規格:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
  • 功能類別:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:STGW10M65DF2
  • 製造商:STMicroelectronics
  • 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
  • 系列:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:M
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):20A
  • 電流-集電極脈衝(Icm):40A
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,10A
  • 功率-最大值:115W
  • 開關能量:120µJ(開),270µJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:28nC
  • 25°C時Td(開/關)值:19ns/91ns
  • 測試條件:400V,10A,22 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):96ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-247-3
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    STGW10M65DF2(制造商:ST),技術規格TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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