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    STGF20H65DFB2（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    STGF20H65DFB2圖片
    基本資料：
  • 零件型號：STGF20H65DFB2
  • 制造廠商：ST
  • 技術規格：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
  • 功能類別：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載STGF20H65DFB2的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：STGF20H65DFB2
  • 製造商：STMicroelectronics
  • 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
  • 系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列：HB2
  • 零件狀態：有源
  • IGBT類型：溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：40A
  • 電流-集電極脈衝(Icm)：60A
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，20A
  • 功率-最大值：45W
  • 開關能量：265µJ（開），214µJ（關）
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：56nC
  • 25°C時Td（開/關）值：16ns/78.8ns
  • 測試條件：400V，20A，10 歐姆，15V
  • 反向恢復時間(trr)：215ns
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝：TO-220-3 整包
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