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    STGD6M65DF2（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    STGD6M65DF2圖片
    基本資料：
  • 零件型號：STGD6M65DF2
  • 制造廠商：ST
  • 技術規格：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
  • 功能類別：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載STGD6M65DF2的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：STGD6M65DF2
  • 製造商：STMicroelectronics
  • 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
  • 系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列：M
  • 零件狀態：有源
  • IGBT類型：溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：12A
  • 電流-集電極脈衝(Icm)：24A
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，6A
  • 功率-最大值：88W
  • 開關能量：36µJ（開），200µJ（關）
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：21.2nC
  • 25°C時Td（開/關）值：15ns/90ns
  • 測試條件：400V，6A，22 歐姆，15V
  • 反向恢復時間(trr)：140ns
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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