STGD19N40LZ(ST) - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情:
製造商產品型號:STGD19N40LZ製造商:STMicroelectronics描述:IGBT 20V 40A DPAK系列:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:Automotive, AEC-Q101零件狀態:有源IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):390V電流-集電極(Ic)(最大值):25A電流-集電極脈衝(Icm):40A不同 Vge、Ic時 Vce(on)(最大值):1.5V @ 4.5V,10A功率-最大值:125W開關能量:-輸入類型:邏輯柵極電荷:17nC25°C時Td(開/關)值:650ns/13.5µs測試條件:300V,10A,1 千歐,5V反向恢復時間(trr):-工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63南皇電子自營直供,STGD19N40LZ均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
相關的熱門電子元器件及其品牌
線性器件 - 放大器 - 儀器、運算放大器、緩衝放大器
STGD19N40LZ(制造商:ST),技術規格IGBT 20V 40A DPAK 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單