STGB30H65DFB2（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：STGB30H65DFB2製造商：STMicroelectronics描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：HB2零件狀態：有源IGBT類型：溝槽型場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：650V電流-集電極(Ic)（最大值）：50A電流-集電極脈衝(Icm)：90A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A功率-最大值：167W開關能量：270µJ（開），310µJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：90nC25°C時Td（開/關）值：18.4ns/71ns測試條件：400V，30A，6.8 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：115ns工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-4，D²Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA南皇電子自營直供，STGB30H65DFB2均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
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