STGB20H65DFB2（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：STGB20H65DFB2製造商：STMicroelectronics描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：HB2零件狀態：有源IGBT類型：溝槽型場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：650V電流-集電極(Ic)（最大值）：40A電流-集電極脈衝(Icm)：60A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，20A功率-最大值：147W開關能量：265µJ（開），214µJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：56nC25°C時Td（開/關）值：16ns/78.8ns測試條件：400V，20A，10 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：215ns工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-4，D²Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA南皇電子自營直供，STGB20H65DFB2均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
STGB20H65DFB2（制造商：ST），技術規格TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
