STGB18N40LZT4（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：STGB18N40LZT4製造商：STMicroelectronics描述：IGBT 420V 30A 150W D2PAK系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™零件狀態：有源IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：420V電流-集電極(Ic)（最大值）：30A電流-集電極脈衝(Icm)：40A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 4.5V，10A功率-最大值：150W開關能量：-輸入類型：邏輯柵極電荷：29nC25°C時Td（開/關）值：650ns/13.5µs測試條件：300V，10A，5V反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB南皇電子自營直供，STGB18N40LZT4均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
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STGB18N40LZT4（制造商：ST），技術規格IGBT 420V 30A 150W D2PAK 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
