STGB10NC60HDT4（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：STGB10NC60HDT4製造商：STMicroelectronics描述：IGBT 600V 20A 65W D2PAK系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：PowerMESH™零件狀態：有源IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：20A電流-集電極脈衝(Icm)：30A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，5A功率-最大值：65W開關能量：31.8µJ（開），95µJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：19.2nC25°C時Td（開/關）值：14.2ns/72ns測試條件：390V，5A，10歐姆，15V反向恢復時間(trr)：22ns工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB南皇電子自營直供，STGB10NC60HDT4均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
STGB10NC60HDT4（制造商：ST），技術規格IGBT 600V 20A 65W D2PAK 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
