STGB10NB60ST4(ST) - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情:
製造商產品型號:STGB10NB60ST4製造商:STMicroelectronics描述:IGBT 600V 29A 80W D2PAK系列:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:PowerMESH™零件狀態:停產IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):29A電流-集電極脈衝(Icm):80A不同 Vge、Ic時 Vce(on)(最大值):1.75V @ 15V,10A功率-最大值:80W開關能量:600µJ(開),5mJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:33nC25°C時Td(開/關)值:700ns/1.2µs測試條件:480V,10A,1 千歐,15V反向恢復時間(trr):-工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB南皇電子自營直供,STGB10NB60ST4均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
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STGB10NB60ST4(制造商:ST),技術規格IGBT 600V 29A 80W D2PAK 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單