STD10N60M6(ST) - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情:
製造商產品型號:STD10N60M6製造商:STMicroelectronics描述:MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK系列:電晶體 - FET,MOSFET - 單個產品系列:MDmesh™ M6零件狀態:有源FET類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):600V25°C時電流-連續漏極(Id):6.4A(Tc)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):600 毫歐 @ 3.2A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):8.8nC @ 10VVgs(最大值):±25V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):338pF @ 100VFET功能:-功率耗散(最大值):60W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:DPAK南皇電子自營直供,STD10N60M6均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
相關的熱門電子元器件及其品牌
線性器件 - 放大器 - 儀器、運算放大器、緩衝放大器
STD10N60M6(制造商:ST),技術規格MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK 電晶體 - FET,MOSFET - 單個