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STB6N65M2(ST) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
STB6N65M2圖片
基本資料:
  • 零件型號:STB6N65M2
  • 制造廠商:ST
  • 技術規格:MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
  • 功能類別:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載STB6N65M2的原廠技術規格書(PDF文件)
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:STB6N65M2
  • 製造商:STMicroelectronics
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
  • 系列:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:MDmesh™
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):650V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):4A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):1.35 歐姆 @ 2A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):9.8nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):226pF @ 100V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):60W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:D2PAK
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    STB6N65M2(制造商:ST),技術規格MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK 電晶體 - FET,MOSFET - 單個
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