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A2C50S65M2-F(ST) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
A2C50S65M2-F圖片
基本資料:
  • 零件型號:A2C50S65M2-F
  • 制造廠商:ST
  • 技術規格:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2
  • 功能類別:電晶體 - IGBT - 模組
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:A2C50S65M2-F
  • 製造商:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2
  • 系列:電晶體 - IGBT - 模組
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:溝槽型場截止
  • 配置:三相反相器
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):50A
  • 功率-最大值:208W
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,50A
  • 電流-集電極截止(最大值):100µA
  • 不同 Vce時輸入電容(Cies):4.15nF @ 25V
  • 輸入:標準
  • NTC熱敏電阻:是
  • 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝:模組
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    A2C50S65M2-F(制造商:ST),技術規格IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2 電晶體 - IGBT - 模組
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