RJP65T54DPM-E0#T2（Renesas） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：RJP65T54DPM-E0#T2製造商：Renesas Electronics America Inc描述：IGBT TRENCH TO-3FP系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：停產IGBT類型：溝道電壓-集射極擊穿（最大值）：650V電流-集電極(Ic)（最大值）：60A電流-集電極脈衝(Icm)：225A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：1.68V @ 15V，30A功率-最大值：63.5W開關能量：330µJ（開），760µJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：72nC25°C時Td（開/關）值：35ns/120ns測試條件：400V，30A，10 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：-工作溫度：175°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：TO-3PFM，SC-93-3南皇電子自營直供，RJP65T54DPM-E0#T2均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
RJP65T54DPM-E0#T2（制造商：Renesas），技術規格IGBT TRENCH TO-3FP 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
