NP110N04PDG-E1-AY（Renesas） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
Renesas瑞薩完整型號：NP110N04PDG-E1-AY製造廠家名稱：Renesas Electronics America描述：MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263系列：-FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：40V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：110A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.8 毫歐 @ 55A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：390nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：25700pF @ 25V功率 - 最大值：1.8W安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：TO-263南皇電子自營直供，NP110N04PDG-E1-AY均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
NP110N04PDG-E1-AY（制造商：Renesas），技術規格MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 單端場效應管
