RV4E031RPHZGTCR1（ROHM） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：RV4E031RPHZGTCR1製造商：Rohm Semiconductor描述：MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：Automotive, AEC-Q101零件狀態：有源FET類型：P 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30V25°C時電流-連續漏極(Id)：3.1A（Ta）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：105 毫歐 @ 3.1A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：4.8nC @ 5VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：460pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.5W（Ta）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：DFN1616-6W南皇電子自營直供，RV4E031RPHZGTCR1均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
RV4E031RPHZGTCR1（制造商：ROHM），技術規格MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
