RS1E350GNTB（ROHM） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：RS1E350GNTB製造商：Rohm Semiconductor描述：MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：-零件狀態：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30V25°C時電流-連續漏極(Id)：35A（Ta），80A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：1.7 毫歐 @ 35A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：68nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：4060pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：3W（Ta）工作溫度：150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：8-HSOP南皇電子自營直供，RS1E350GNTB均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
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RS1E350GNTB（制造商：ROHM），技術規格MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
