RGT8NS65DGTL（ROHM） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：RGT8NS65DGTL製造商：Rohm Semiconductor描述：IGBT 650V 8A 65W TO-263S系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：有源IGBT類型：溝槽型場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：650V電流-集電極(Ic)（最大值）：8A電流-集電極脈衝(Icm)：12A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A功率-最大值：65W開關能量：-輸入類型：標準柵極電荷：13.5nC25°C時Td（開/關）值：17ns/69ns測試條件：400V，4A，50歐姆，15V反向恢復時間(trr)：40ns工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB南皇電子自營直供，RGT8NS65DGTL均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
RGT8NS65DGTL（制造商：ROHM），技術規格IGBT 650V 8A 65W TO-263S 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
