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RCD100N19TL(ROHM) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
RCD100N19TL圖片
基本資料:
  • 零件型號:RCD100N19TL
  • 制造廠商:ROHM
  • 技術規格:MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
  • 功能類別:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:RCD100N19TL
  • 製造商:Rohm Semiconductor
  • 描述:MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
  • 系列:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:不適用於新設計
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):190V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):10A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4V,10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):182 毫歐 @ 5A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):52nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2000pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):850mW(Ta),20W(Tc)
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:CPT3
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    RCD100N19TL(制造商:ROHM),技術規格MOSFET N-CH 190V 10A CPT3 電晶體 - FET,MOSFET - 單個
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