RCD100N19TL（ROHM） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：RCD100N19TL製造商：Rohm Semiconductor描述：MOSFET N-CH 190V 10A CPT3系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：-零件狀態：不適用於新設計FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：190V25°C時電流-連續漏極(Id)：10A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：182 毫歐 @ 5A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：52nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2000pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：850mW（Ta），20W（Tc）工作溫度：150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：CPT3南皇電子自營直供，RCD100N19TL均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
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RCD100N19TL（制造商：ROHM），技術規格MOSFET N-CH 190V 10A CPT3 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
