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    HGTD1N120BNS9A（ON） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    HGTD1N120BNS9A圖片
    基本資料：
  • 零件型號：HGTD1N120BNS9A
  • 制造廠商：ON
  • 技術規格：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
  • 功能類別：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載HGTD1N120BNS9A的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：HGTD1N120BNS9A
  • 製造商：ON Semiconductor
  • 描述：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
  • 系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列：-
  • 零件狀態：有源
  • IGBT類型：NPT
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：5.3A
  • 電流-集電極脈衝(Icm)：6A
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，1A
  • 功率-最大值：60W
  • 開關能量：70µJ（開），90µJ（關）
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：14nC
  • 25°C時Td（開/關）值：15ns/67ns
  • 測試條件：960V，1A，82 歐姆，15V
  • 反向恢復時間(trr)：-
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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    HGTD1N120BNS9A（制造商：ON），技術規格IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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