PSMN4R3-100ES（Nexperia） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
Nexperia公司器件型號：PSMN4R3-100ES,127製造商：Nexperia USA Inc.（安世半導體）-2017年從NXP分離功能總體描述：MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK所屬類別：FET，MOSFET - 單-電晶體系列：-零件狀態：在售FET 類型：N 溝道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源極電壓（Vdss）：100V電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：120A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：170nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：9900pF @ 50VVgs（最大值）：±20VFET 功能：-功率耗散（最大值）：338W（Tc）不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.3 毫歐 @ 25A，10V工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：通孔Nexperia公司標準封裝：I2PAK封裝形式：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AAPSMN4R3-100ES的標準包裝數量(SPQ)：- PCS南皇電子自營直供，PSMN4R3-100ES均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
PSMN4R3-100ES（制造商：Nexperia），技術規格MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK FET，MOSFET - 單-電晶體
