PSMN3R3-80ES（Nexperia） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
Nexperia公司器件型號：PSMN3R3-80ES,127製造商：Nexperia USA Inc.（安世半導體）-2017年從NXP分離功能總體描述：MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK所屬類別：FET，MOSFET - 單-電晶體系列：-零件狀態：在售FET 類型：N 溝道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源極電壓（Vdss）：80V電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：120A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：139nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：9961pF @ 40VVgs（最大值）：-FET 功能：-功率耗散（最大值）：338W（Tc）不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.3 毫歐 @ 25A，10V工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：通孔Nexperia公司標準封裝：I2PAK封裝形式：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AAPSMN3R3-80ES的標準包裝數量(SPQ)：1000 PCS南皇電子自營直供，PSMN3R3-80ES均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
PSMN3R3-80ES（制造商：Nexperia），技術規格MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK FET，MOSFET - 單-電晶體
