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PMXB360ENEA(Nexperia) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
PMXB360ENEA圖片
基本資料:
  • 零件型號:PMXB360ENEA
  • 制造廠商:Nexperia
  • 技術規格:MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
  • 功能類別:FET,MOSFET - 單-電晶體
  • 點擊此處下載PMXB360ENEA的原廠技術規格書(PDF文件)
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  • 技術參數詳情:
  • Nexperia公司器件型號:PMXB360ENEA
  • 製造商:Nexperia USA Inc.(安世半導體)-2017年從NXP分離
  • 功能總體描述:MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
  • 所屬類別:FET,MOSFET - 單-電晶體
  • 系列:-
  • 零件狀態:在售
  • FET 類型:N 溝道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源極電壓(Vdss):80V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.1A(Ta)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值):4.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):130pF @ 40V
  • Vgs(最大值):±20V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):400mW(Ta),6.25W(Tc)
  • 不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值):450 毫歐 @ 1.1A,10V
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝
  • Nexperia公司標準封裝:DFN1010D-3
  • 封裝形式:3-XDFN
  • PMXB360ENEA的標準包裝數量(SPQ):5000 PCS
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    PMXB360ENEA(制造商:Nexperia),技術規格MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN FET,MOSFET - 單-電晶體
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