PSMN6R3-120ESQ（NXP） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
NXP恩智浦完整型號：PSMN6R3-120ESQ製造廠家名稱：NXP Semiconductors描述：MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK系列：-FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：120V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：70A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：6.7 毫歐 @ 25A， 10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：207.1nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：11384pF @ 60V功率 - 最大值：405W安裝類型：通孔封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應商器件封裝：TO-262-3南皇電子自營直供，PSMN6R3-120ESQ均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
PSMN6R3-120ESQ（制造商：NXP），技術規格MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK 單端場效應管
