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圖片信息

PSMN1R1-30EL,127圖片

基本資料：

零件型號：PSMN1R1-30EL,127

制造廠商：NXP

技術規格：MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

功能類別：單端場效應管

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技術參數詳情：

NXP恩智浦完整型號：PSMN1R1-30EL,127

製造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：120A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.3 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：243nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：14850pF @ 15V

功率 - 最大值：338W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商器件封裝：I2PAK

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PSMN1R1-30EL,127（制造商：NXP），技術規格MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK 單端場效應管

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